双极型三极管的高频小信号模型
上传时间： 2013-10-20
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场效应管与双极型三极管的比较
上传时间： 2013-10-30
上传用户：moerwang
双极型与MOS半导体器件原理_黄均鼐.
上传时间： 2013-11-08
上传用户：hakim
模拟电子学习的基础课程,包括双极型模拟集成电路和低频设计部分
上传时间： 2014-01-10
上传用户：shinesyh
MC34063是一单片双极型线性集成电路，专用于直流-直流变换器控制部分。片内包含有温度补偿带隙基准源、一个占空比周期控制振荡器、驱动器和大电流输出开关，能输出1.5A的开关电流。它能使用最少的外接元件构成开关式升压变换器、降压式变换器和电源反向器。
上传时间： 2017-05-27
上传用户：kr770906
钟型隶属函数-b参数变化钟型隶属函数-b参数变化
上传时间： 2014-11-12
上传用户：whenfly
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60CoC和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：gououo
128位长双精度型数字运算包
上传时间： 2014-12-08
上传用户：koulian
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上传时间： 2015-02-22
上传用户：ommshaggar
